二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)

　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。

　?。ǘ┕夥圃炱髽I(yè)應(yīng)具備以下條件：在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立，具有獨(dú)立法人資格；具有太陽能光伏產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力；具有省級以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣；申報符合規(guī)范名單時上一年實際產(chǎn)量不低于本條第（三）款產(chǎn)能要求的50%。

　?。ㄈ┕夥圃炱髽I(yè)按產(chǎn)品類型應(yīng)分別滿足以下要求：

　　1.多晶硅項目每期規(guī)模不低于3000噸/年；

　　2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；

　　3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；

　　4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片；

　　5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；

　　6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；

　　7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp；

　　8.逆變器年產(chǎn)能不低于200MWp。

　?。ㄋ模┈F(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求；

　　2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2μs，碳、氧含量分別小于16和14PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，碳、氧含量分別小于2和18PPMA；

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17.5%和18.5%；

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于15.5%和16%；

　　5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、11%、11%、10%。

　　6.含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國加權(quán)效率不得低于96%，不含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國加權(quán)效率不得低于98%。

　?。ㄎ澹┬陆ê透臄U(kuò)建企業(yè)及項目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；

　　2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18.5%和20%；

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17.5%；

　　5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。

　?。┒嗑Ч桦姵亟M件和單晶硅電池組件衰減率在1年內(nèi)分別不高于2.5%和3%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在1年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。